[发明专利]四种抗总剂量与单粒子闭锁的CMOS集成电路基本单元在审
| 申请号： | 202210526736.7 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN114975596A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 廖永波;刘仰猛;李平;刘玉婷;刘金铭;杨智尧 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02;G11C16/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明针对之前发明“一种抗总剂量CMOS电路基本晶体管结构”专利的缺点，提出了四种新颖的电路结构，它们可以在NMOS晶体管源极不接衬底时实现电路功能并进行抗辐照，解决之前的发明源极必须接衬底的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 四种抗总 剂量 粒子 闭锁 cmos 集成电路 基本 单元 | ||
【主权项】：
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