[发明专利]四种抗总剂量与单粒子闭锁的CMOS集成电路基本单元在审
| 申请号： | 202210526736.7 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN114975596A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 廖永波;刘仰猛;李平;刘玉婷;刘金铭;杨智尧 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02;G11C16/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 四种抗总 剂量 粒子 闭锁 cmos 集成电路 基本 单元 | ||
【权利要求书】：
1.有源区扩展结构NMOS晶体管，其特征在于NMOS管的有源区沿栅极方向进行扩展，包含一部分P型区域，同时在MOS管外围添加一圈P+注入环，起到抗总剂量与单粒子闭锁的作用。
2.NMOS晶体管共源共栅电路的抗辐照电路版图，其特征在于源极接衬底NMOS晶体管采用P+条结构，源极不接衬底的NMOS晶体管采用有源区扩展结构。
3.共源共栅反相器抗辐照电路版图，其特征在于源极接衬底的NMOS晶体管采用P+条抗辐照结构，与PMOS晶体管级联的源极不接衬底的NMOS晶体管采用有源区扩展抗辐照结构。
4.传输门电路抗辐照版图，其特征在于传输门中的NMOS晶体管采用有源区扩展结构。
5.SRAM基本单元电路抗辐照版图，其特征在于两个源极接衬底的NMOS晶体管使用P+条结构，两个源极不接衬底的NMOS晶体管使用有源区扩展结构。
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