[发明专利]DDR双列直插式存储模块、存储系统及其操作方法有效
| 申请号： | 202210526445.8 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN114627954B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张凉;黄明 | 申请（专利权）人： | 芯动微电子科技（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C29/12 |
| 代理公司： | 上海熠涧知识产权代理有限公司 31442 | 代理人： | 林高锋 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用数据缓存器纠错的DDR双列直插式存储模块、存储系统及其操作方法，DDR双列直插式存储模块包括第一信道，第一信道包括第一组DRAM颗粒和与第一组DRAM颗粒对应的数据缓存器；数据缓存器用于在写操作中将外部数据发送给第一组DRAM颗粒，以及在读操作中获取第一组DRAM颗粒的数据；数据缓存器还用于在写操作和读操作中进行ECC纠错。本发明在内存条上就能实现高性能的检错和纠错，能够极大地降低整个内存条的误码率。 | ||
| 搜索关键词： | ddr 双列直插式 存储 模块 存储系统 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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