[发明专利]NAND闪存的数据写入方法、装置、存储介质及存储设备有效
| 申请号： | 202210525759.6 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN114822650B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 刘刚;刘晓健;王嵩 | 申请（专利权）人： | 北京得瑞领新科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/04;G11C16/34;G11C8/14;G11C7/18;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 | 代理人： | 李丽颖 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区西小口路66*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及数据存储技术领域，提供了一种NAND闪存的数据写入方法、装置、存储介质及存储设备，该方法包括：判断目标字线的目标存储单元的待写入存储态是否为NAND闪存的最高存储态，若目标字线的目标存储单元的待写入存储态为NAND闪存的最高存储态，则获取与目标字线相邻的前一个字线上与目标存储单元临近的存储单元的存储态；当与目标字线相邻的前一个字线上与目标存储单元临近的存储单元的存储态低于预设的存储态阈值时，采用预设的优化编写验证电压对目标存储单元进行最高存储态的写入，优化编写验证电压大于最高存储态对应的标准编写验证电压。本发明能够获得更长的数据保留时间，增大读取窗口，提高闪存数据可靠性，减少出错。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 数据 写入 方法 装置 存储 介质 设备 | ||
【主权项】：
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