[发明专利]一种(Inx在审

专利信息
申请号: 202210524712.8 申请日: 2022-05-14
公开(公告)号: CN115094398A 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 李炳生;祁凯;王月飞;刘益春 申请(专利权)人: 东北师范大学
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/448;H01L31/032;H01L31/09;H01L31/18
代理公司: 深圳云海专利代理事务所(特殊普通合伙) 44846 代理人: 王天桂
地址: 130024 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种(InxGa1‑x)2O3宽禁带半导体材料的制备方法及其应用,包括以下步骤:步骤1、氧化镓、氧化铟和碳粉混合粉末的制备;步骤2、通过化学气相沉积法(CVD)实现(InxGa1‑x)2O3宽禁带半导体材料的制备(0x1)。本发明通过化学气相沉积的方法生长(InxGa1‑x)2O3材料,通过控制铟组分,可以实现微米线、混相薄膜等材料,具有独特的物理特性。方法简单易操作,制备的日盲光电探测器件具有响应度高、高光暗电流比、稳定性好等特点。
搜索关键词: 一种 in base sub
【主权项】:
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