[发明专利]SiC MOSFET的辅助关断电路及方法、驱动电路在审
申请号: | 202210499635.5 | 申请日: | 2022-05-09 |
公开(公告)号: | CN114710011A | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 赵凤俭 | 申请(专利权)人: | 飞锃半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02H7/12;H02H3/20;H03K17/082;H03K17/687 |
代理公司: | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人: | 樊文娜;刘荣娟 |
地址: | 201306 上海市浦东新区自*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请技术方案提供一种SiC MOSFET的辅助关断电路及方法、驱动电路,其中所述辅助关断电路包括:输出侧逻辑控制模块,用于接收所述SiC MOSFET的驱动脉冲信号并输出;输出级功率放大电路,与所述输出侧逻辑控制模块电连接,并被配置为对所述驱动脉冲信号进行放大,并输出至所述SiC MOSFET;分段关断模块,与所述输出级功率放大电路、所述输出侧逻辑控制模块以及所述SiC MOSFET管的栅极电连接,且所述分段关断模块被配置为在所述SiC MOSFET关断的过程中等效电阻值呈增大的趋势。本申请技术方案的辅助关断电路可以解决驱动关断电阻无法平衡关断过电压和关断损耗问题。 | ||
搜索关键词: | sic mosfet 辅助 断电 方法 驱动 电路 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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