[发明专利]SiC MOSFET的辅助关断电路及方法、驱动电路

权利要求书

1.一种SiC MOSFET的辅助关断电路，其特征在于，包括：

输出侧逻辑控制模块，用于接收所述SiC MOSFET的驱动脉冲信号并输出；

输出级功率放大电路，与所述输出侧逻辑控制模块电连接，并被配置为对所述驱动脉冲信号进行放大，并输出至所述SiC MOSFET；

分段关断模块，与所述输出级功率放大电路、所述输出侧逻辑控制模块以及所述SiCMOSFET管的栅极电连接，且所述分段关断模块被配置为在所述SiC MOSFET关断的过程中等效电阻值呈增大的趋势。

2.根据权利要求1所述的SiC MOSFET的辅助关断电路，其特征在于，在所述SiC MOSFET关断的过程中，所述分段关断模块的等效电阻值在第一阶段为第一阻值，在随后的第二阶段增加至第二阻值。

3.根据权利要求2所述的SiC MOSFET的辅助关断电路，其特征在于，所述分段关断模块包括：

第一电阻，所述第一电阻的第一端电连接所述输出级功率放大电路；

第二电阻，所述第二电阻的第一端电连接所述第一电阻的第二端，所述第二电阻的第二端电连接所述SiC MOSFET的栅极；

第一二极管，所述第一二极管的阴极电连接所述第一电阻的第二端；

第一MOS管，所述第一MOS管的栅极电连接所述输出侧逻辑控制模块，源极电连接所述第一二极管的阳极，漏极电连接所述SiC MOSFET的栅极；

在所述SiC MOSFET关断的过程中，所述输出侧逻辑控制模块在第一阶段向所述第一MOS管发送导通信号，所述第一MOS管导通；在第二阶段向所述第一MOS管发送关断信号，所述第一MOS管关断。

4.根据权利要求3所述的SiC MOSFET的辅助关断电路，其特征在于，所述输出级功率放大电路包括PMOS管和NMOS管构成的推挽式驱动电路，或者包括NPN和PNP三极管构成的推挽式驱动电路。

5.根据权利要求4所述的SiC MOSFET的辅助关断电路，其特征在于，所述输出级功率放大电路包括：

放大器，所述放大器的输入端电连接所述输出侧逻辑控制模块，所述放大器还电连接直流正压、直流负压以及输出侧地；

PMOS管，所述PMOS管的源极电连接所述直流电压，栅极电连接所述放大器的输出端，漏极通过第三电阻与所述第二电阻的第一端电连接；

NMOS管，所述NMOS管的源极电连接所述直流负压，栅极电连接所述放大器的输出端，漏极电连接所述第一电阻的第一端。

6.根据权利要求1所述的SiC MOSFET的辅助关断电路，其特征在于，所述辅助关断电路还包括输入侧逻辑控制模块，用于接收所述SiC MOSFET的驱动脉冲信号，并输出至所述输出侧逻辑控制模块。

7.根据权利要求6所述的SiC MOSFET的辅助关断电路，其特征在于，所述输入侧逻辑控制模块和所述输出侧逻辑控制模块之间还电连接有第一编码解码模块，所述第一编码解码模块包括：

驱动编码模块，与所述输入侧逻辑控制模块电连接；

驱动解码模块，与所述驱动编码模块之间信号隔离，且与所述输出侧逻辑控制模块电连接。

8.一种SiC MOSFET的驱动电路，其特征在于，包括：权利要求1至7任一项所述的SiCMOSFET的辅助关断电路。

9.一种SiC MOSFET的驱动电路，其特征在于，包括：

权利要求5至7任一项所述的SiC MOSFET的辅助关断电路；

栅压钳位模块，电连接所述SiC MOSFET的栅极和输出侧逻辑控制模块，并位于所述SiCMOSFET的栅极与源极之间。