[发明专利]三维存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种的三维存储器件及其制造方法，在制造方法中，通过贯穿堆叠层形成沟道孔，之后通过沟道孔去除部分牺牲层以形成凹槽，之后在凹槽内转化至少一部分牺牲层以形成第一子阻挡层，之后继续在第一子阻挡层和凹槽的侧壁上形成第二子阻挡层，之后在凹槽内填充电荷捕获层。在去除部分牺牲层形成凹槽后，相邻的凹槽被绝缘层隔开，使得填充在凹槽内的电荷捕获层在沟道孔的轴向上是间断分布的，从而避免电荷捕获层中的电子沿轴向扩散或者漂移，而且由于第一子阻挡层和第二子阻挡层在凹槽的底部处层叠，从而进一步阻挡电子沿沟道孔的径向进行扩散，有利于整体上提高三维存储器件的电荷保持能力。