[发明专利]改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法在审
| 申请号： | 202210465693.6 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114975095A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 汪良恩;李建利;汪曦凌 | 申请（专利权）人： | 安徽芯旭半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 齐葵 |
| 地址： | 247100 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，涉及半导体加工的光刻技术领域，在对二极管晶圆进行光刻时，同时对二极管晶圆沟槽处的玻璃进行腐蚀处理。本发明将沟槽玻璃厚度减薄后，在钝化切割工序中，切割应力会减小，从而降低二极管晶圆产品切割崩边问题的发生概率，提高二极管晶圆产品的可靠性与安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 二极管 沟槽 钝化 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽芯旭半导体有限公司，未经安徽芯旭半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210465693.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
