[发明专利]改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法

说明书

本发明提供改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，涉及半导体加工的光刻技术领域，在对二极管晶圆进行光刻时，同时对二极管晶圆沟槽处的玻璃进行腐蚀处理。本发明将沟槽玻璃厚度减薄后，在钝化切割工序中，切割应力会减小，从而降低二极管晶圆产品切割崩边问题的发生概率，提高二极管晶圆产品的可靠性与安全性。

技术领域

本发明涉及半导体加工的光刻技术领域，具体涉及改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法。

背景技术

加工二极管晶圆的工序之一是在其表面涂覆一层玻璃浆，使二极管晶圆表面覆盖一层玻璃，该层玻璃可对二极管晶圆起到良好的保护作用。由于二极管晶圆沟槽处向内凹陷，填覆有更多的玻璃浆，因此，沟槽底部玻璃厚度非常厚。

二极管晶圆经表面玻璃加工处理后还需进行钝化处理，在切割二极管晶圆的过程中，由于沟槽底部被填满玻璃，而沟底的玻璃越厚，切割的应力就越大，导致容易出现切割崩边问题，影响二极管晶圆产品的可靠性，甚至可能导致二极管晶圆失效。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，解决刀刮二极管晶圆产品的切割崩边概率较高的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：

一种改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，在对二极管晶圆进行光刻时，同时对二极管晶圆沟槽处的玻璃进行腐蚀处理。

优选的，具体处理步骤包括：

S1.对光刻版进行改进，以阻止沟槽光刻胶曝光；

S2.常规曝光显影后再进行窗口腐蚀，台面玻璃和沟槽玻璃同时被腐蚀，台面玻璃完全被去除，沟槽玻璃由于厚度原因，部分被腐蚀，厚度减薄；

S3.正常作业至刀刮工序，沿沟槽腐蚀的中心进行切割。

优选的，所述S1中光刻版的改进方法为：增加半导体晶圆两颗晶粒之间的沟槽区域的掩膜。

优选的，增设的掩膜使沟槽处形成3-5mil的不透光区域。

优选的，所述S2中的窗口腐蚀用溶液为盐酸与氢氟酸的混合液。

优选的，盐酸与氢氟酸的体积比为(9.5～10.5):1。

优选的，所述S2中的窗口腐蚀时间为5～10分钟。

优选的，经所述S2窗口腐蚀后，再对二极管晶圆进行表面金属化处理。

优选的，所述金属可以为镍金或银。

(三)有益效果

本发明提供了一种改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法。与现有技术相比，具备以下有益效果：

根据本发明特定的技术问题进行光刻版改进设计，光刻版上增加半导体晶圆两颗晶粒之间的沟槽区域的掩膜设计，以阻止光刻胶的曝光，光刻时沟底玻璃没有光刻胶的保护，以便对沟底玻璃进行腐蚀，从而将沟槽底部玻璃厚度减薄。沟槽玻璃厚度减薄后，在钝化切割工序中，切割应力会减小，从而降低二极管晶圆产品切割崩边问题的发生概率，提高二极管晶圆产品的可靠性与安全性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是原光刻版的掩膜设计图。