[发明专利]改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法在审
| 申请号： | 202210465693.6 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114975095A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 汪良恩;李建利;汪曦凌 | 申请（专利权）人： | 安徽芯旭半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 齐葵 |
| 地址： | 247100 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 二极管 沟槽 钝化 加工 方法 | ||
1.一种改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，其特征在于，在对二极管晶圆进行光刻时，同时对二极管晶圆沟槽处的玻璃进行腐蚀处理。
2.如权利要求1所述的改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，其特征在于，具体处理步骤包括：
S1.对光刻版进行改进，以阻止沟槽光刻胶曝光；
S2.常规曝光显影后再进行窗口腐蚀，台面玻璃和沟底玻璃同时被腐蚀，台面玻璃完全被去除，沟底玻璃由于厚度原因，部分被腐蚀，厚度减薄；
S3.正常作业至刀刮工序，沿沟槽腐蚀的中心进行切割。
3.如权利要求2所述的改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，其特征在于，所述S1中光刻版的改进方法为：增加半导体晶圆两颗晶粒之间的沟槽区域的掩膜。
4.如权利要求3所述的改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，其特征在于，增设的掩膜使沟槽处形成3-5mil的不透光区域。
5.如权利要求2所述的改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，其特征在于，所述S2中的窗口腐蚀用溶液为盐酸与氢氟酸的混合液。
6.如权利要求5所述的改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，其特征在于，盐酸与氢氟酸的体积比为(9.5～10.5):1。
7.如权利要求2所述的改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，其特征在于，所述S2中的窗口腐蚀时间为5～10分钟。
8.如权利要求2所述的改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，其特征在于，经所述S2窗口腐蚀后，再对二极管晶圆进行表面金属化处理。
9.如权利要求8所述的改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，其特征在于，所述金属可以为镍金或银。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
