[发明专利]一种Mg扩散增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210461239.3 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114899233A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李国强;邢志恒;吴能滔;李善杰;罗玲 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/15;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 齐键 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Mg扩散增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用。本发明的Mg扩散增强型GaN基HEMT器件的组成包括衬底、GaN沟道层、超晶格结构层、P型Mg离子扩散势垒层、SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 mg 扩散 增强 gan hemt 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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