[发明专利]电阻器结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种电阻器结构及其制造方法，应用于半导体技术领域。本发明提供了一种电阻器结构的制造方法，通过在利用现有技术形成MIM电容器结构的过程中，利用该MIM电容器结构的金属上极板的部分区域作为薄膜电阻器件使用，以替代传统工艺形成的多晶硅电阻。由于在本发明提供的电阻器结构的制造方法中，其是利用MIM电容器结构的金属上极板其温度系数低的特性，从而形成一种温度系数低、电阻精度高的薄膜电阻，进而实现解决多晶硅电阻由于温度系数太大，无法配置高精度电阻的缺点，并在利用已有资源的基础上，节约了形成电阻器件的制造成本。