[发明专利]多栅结构的GaN基HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210443379.8 | 申请日： | 2022-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN114937598A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 郑礼锭;余阳;李仁杰;王东歌;高枫 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/10;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多栅结构的GaN基HEMT器件及制备方法，通过形成多个虚设栅极定义出相应的栅极图案，去除虚设栅极之后于栅槽中形成栅极，即得到多个栅极下设置有不同厚度的AlGaN势垒层，而无需通过刻蚀工艺使势垒层减薄，因此不存在刻蚀带来的损伤；本发明提供的GaN基HEMT器件包括：多个AlGaN势垒层、间隔排布的多个栅槽以及设置于多个栅槽中的栅极，AlGaN势垒层与位于其上的栅极成对设置，通过多个栅极下设置有不同厚度的势垒层，可以在同一器件内形成有不同阈值电压的多个栅极，从而实现阈值电压的调制。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江集迈科微电子有限公司，未经浙江集迈科微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210443379.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种生成仿真交通场景文件的方法及系统
- 下一篇：一种用于牙龈的显影组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
