[发明专利]一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统及其方法在审
| 申请号： | 202210434887.X | 申请日： | 2022-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN114921844A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 李小红;王忠保;闫龙 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06;C30B30/04;C30B15/04 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统及其方法，所述散热机构包括第一固定板、第二固定板和第三固定板，所述第一固定板通过安装机构设置有坩埚，所述第二固定板的顶部左右对称贯穿开设有转动槽，本发明涉及单晶硅生产技术领域。该有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统及其方法，通过在第一固定板、第二固定板、第三固定板、安装机构、坩埚、转动槽、转轴、转动臂、气缸、第一螺纹杆、定位机构、弹簧、第一连接板、第二连接板和封板的配合使用下，解决了现有的放肩过程中由于温度把握不准确造成温度波动，导致晶棒头部的空洞型缺陷，造成晶棒寿命降低，进而形成黑心圆和黑芯片的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 抑制 300 mm 重掺砷 mcz 单晶放肩 ng 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
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