[发明专利]一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统及其方法在审

专利信息
申请号: 202210434887.X 申请日: 2022-04-24
公开(公告)号: CN114921844A 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: 李小红;王忠保;闫龙 申请(专利权)人: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06;C30B30/04;C30B15/04
代理公司: 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 代理人: 沈相权
地址: 311201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 有效 抑制 300 mm 重掺砷 mcz 单晶放肩 ng 系统 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统,包括箱体(1)和底座(2),所述箱体(1)上铰接有箱盖(3),所述箱体(1)上开设有凹腔(4),所述凹腔(4)中设置有加热棒(5),其特征在于,所述箱体(1)的外表面开设有与凹腔(4)相连通的第一通孔(6),所述凹腔(4)中固定连接有内胆(17),所述内胆(17)的外表面贯穿开设有与凹腔(4)相连通的第二通孔(18),所述内胆(17)上设置有散热机构(7);

所述散热机构(7)包括第一固定板(701)、第二固定板(702)和第三固定板(703),所述第一固定板(701)通过安装机构(704)设置有坩埚(705),所述第二固定板(702)的顶部左右对称贯穿开设有转动槽(706),两个所述转动槽(706)的内部通过转轴(707)转动连接有转动臂(708),两个所述转动臂(708)之间转动连接有气缸(709),所述转动臂(708)与第一固定板(701)之间活动连接,所述第二固定板(702)的顶部螺纹连接有第一螺纹杆(710),所述第一螺纹杆(710)的顶端上设置有定位机构(711),所述第二固定板(702)与第三固定板(703)之间固定连接有弹簧(712),所述第三固定板(703)的底部固定连接有第一连接板(713),所述第一连接板(713)上固定连接有第二连接板(714),所述第二连接板(714)上固定连接有封板(715),所述封板(715)与内胆(17)之间滑动连接;

所述定位机构(711)包括固定座(7111),所述固定座(7111)外表面的底部与第一螺纹杆(710)的顶端螺纹连接,所述固定座(7111)的一侧贯穿开设有螺纹槽(7112),所述螺纹槽(7112)上对称螺纹连接有第二螺纹杆(7113),两个所述第二螺纹杆(7113)相离的一端均转动连接有抵触板(7114),所述第二螺纹杆(7113)的外表面固定连接有旋钮(7115),所述抵触板(7114)与第一固定板(701)之间活动连接,所述抵触板(7114)与内胆(17)之间处于接触状态。

2.根据权利要求1所述的一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统,其特征在于:所述安装机构(704)包括安装板(7041),所述安装板(7041)通过固定螺钉(7042)固定连接在第一固定板(701)的顶部上。

3.根据权利要求1所述的一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统及其方法,其特征在于:所述第二固定板(702)的顶部贯穿开设有活动孔(19),所述第三固定板(703)的顶部固定连接有连接杆(8),所述连接杆(8)位于弹簧(712)的内部。

4.根据权利要求3所述的一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统,其特征在于:所述连接杆(8)的外表面与活动孔(19)的内部相适配,所述连接杆(8)的顶端固定连接有挡块(9),所述第二通孔(18)与第一通孔(6)处于同一水平线上。

5.根据权利要求1所述的一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统,其特征在于:所述第一固定板(701)的两侧均开设有滑槽(10),所述滑槽(10)槽腔的顶部和底部均呈开口设置,所述滑槽(10)的内部与抵触板(7114)的外表面相适配。

6.根据权利要求1所述的一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统,其特征在于:所述第一固定板(701)的底部开设有横槽(11),所述横槽(11)的内部与转动臂(708)的外表面相适配,所述转动臂(708)的一侧贯穿开设有通槽(20)。

7.根据权利要求1所述的一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统,其特征在于:所述箱体(1)的外表面分别固定连接有顶板(12)和底板(13),所述箱体(1)的外表面活动连接有遮挡板(14),所述遮挡板(14)的顶部贯穿开设有活动槽(15)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司,未经杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210434887.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top