[发明专利]一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统及其方法

说明书

本发明公开了一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统及其方法，所述散热机构包括第一固定板、第二固定板和第三固定板，所述第一固定板通过安装机构设置有坩埚，所述第二固定板的顶部左右对称贯穿开设有转动槽，本发明涉及单晶硅生产技术领域。该有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统及其方法，通过在第一固定板、第二固定板、第三固定板、安装机构、坩埚、转动槽、转轴、转动臂、气缸、第一螺纹杆、定位机构、弹簧、第一连接板、第二连接板和封板的配合使用下，解决了现有的放肩过程中由于温度把握不准确造成温度波动，导致晶棒头部的空洞型缺陷，造成晶棒寿命降低，进而形成黑心圆和黑芯片的问题。

技术领域

本发明涉及单晶硅生产技术领域，具体为一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统及其方法。

背景技术

硅的单晶体，禁带宽度1.11eV。具有基本完整的点阵结构的晶体。是一种良好的半导材料。生产中纯度基本要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池、芯片等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。是人类能制取到的最纯的物质。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成P型半导体，掺入微量的第VA族元素，形成N型，N型和P型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。

单晶硅生产过程包括以下工序：拆炉-装料-熔化料-引细颈-放肩-转肩-等径-收尾-停炉，其中，放肩是当引细颈工艺完成后经过调整单晶炉加热功率及温效输出，降低温度与拉速，来控制放肩质量、速度、形状，放肩的形状和角度，将会影响晶棒头部的固液界面形状及晶棒品质，如果降温太快，液面呈现过冷情况，肩的形状因直径快速放大而变成方形，严重时易导致位错的产生而失去单晶的结构，现有的放肩过程中由于温度把握不准确造成温度波动，导致晶棒头部的空洞型缺陷，造成晶棒寿命降低，进而形成黑心圆和黑芯片，因此，本发明提出一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统及其方法，以解决上述提到的问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统及其方法，解决了现有的放肩过程中由于温度把握不准确造成温度波动，导致晶棒头部的空洞型缺陷，造成晶棒寿命降低，进而形成黑心圆和黑芯片的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种有效抑制300mm重掺砷MCZ单晶放肩NG的系统，包括箱体和底座，所述箱体上铰接有箱盖，所述箱体上开设有凹腔，所述凹腔中设置有加热棒，所述箱体的外表面开设有与凹腔相连通的第一通孔，所述凹腔中固定连接有内胆，所述内胆的外表面贯穿开设有与凹腔相连通的第二通孔，所述内胆上设置有散热机构。

所述散热机构包括第一固定板、第二固定板和第三固定板，所述第一固定板通过安装机构设置有坩埚，所述第二固定板的顶部左右对称贯穿开设有转动槽，两个所述转动槽的内部通过转轴转动连接有转动臂，两个所述转动臂之间转动连接有气缸，所述转动臂与第一固定板之间活动连接，所述第二固定板的顶部螺纹连接有第一螺纹杆，所述第一螺纹杆的顶端上设置有定位机构，所述第二固定板与第三固定板之间固定连接有弹簧，所述第三固定板的底部固定连接有第一连接板，所述第一连接板上固定连接有第二连接板，所述第二连接板上固定连接有封板，所述封板与内胆之间滑动连接；

所述定位机构包括固定座，所述固定座外表面的底部与第一螺纹杆的顶端螺纹连接，所述固定座的一侧贯穿开设有螺纹槽，所述螺纹槽上对称螺纹连接有第二螺纹杆，两个所述第二螺纹杆相离的一端均转动连接有抵触板，所述第二螺纹杆的外表面固定连接有旋钮，所述抵触板与第一固定板之间活动连接，所述抵触板与内胆之间处于接触状态。

优选的，所述安装机构包括安装板，所述安装板通过固定螺钉固定连接在第一固定板的顶部上。

优选的，所述第二固定板的顶部贯穿开设有活动孔，所述第三固定板的顶部固定连接有连接杆，所述连接杆位于弹簧的内部。