[发明专利]一种多晶硅去除方法与扩散炉在审
| 申请号： | 202210434466.7 | 申请日： | 2022-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN114695110A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 杜盼晓;徐雷军;王友伟;王成森 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电(南通)科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/321;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 黄燕 |
| 地址： | 226000 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种多晶硅去除方法与扩散炉，涉及半导体技术领域。首先基于外延片的表面生长介质层与多晶硅，其中，外延片包括沟槽，介质层与多晶硅位于外延片的表面与沟槽内，再对位于外延片表面的多晶硅进行氧化处理，以使位于外延片表面的多晶硅转变为氧化层，最后利用腐蚀液将介质层与氧化层去除，并保留位于沟槽内的介质层与多晶硅。本申请提供的多晶硅去除方法与扩散炉具有去除速率快，成本低，且不会造成多晶硅损伤，均匀性更好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 去除 方法 扩散 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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