[发明专利]沟槽隔离结构的形成方法以及图像传感器的形成方法在审

专利信息
申请号: 202210433010.9 申请日: 2022-04-24
公开(公告)号: CN114530471A 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 陶磊;林子荏;林士程 申请(专利权)人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/762
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 230012 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种沟槽隔离结构的形成方法以及图像传感器的形成方法,包括:提供一衬底,所述衬底包括逻辑区和像素区,在所述衬底上依次形成缓冲层、刻蚀停止层和硬掩模层;在所述逻辑区和所述像素区上形成深度相同的第一沟槽和第二沟槽;覆盖所述像素区的第二沟槽,并继续刻蚀所述逻辑区的第一沟槽,以形成第三沟槽,所述第三沟槽为所述第一沟槽的延伸,所述第三沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度;在所述第三沟槽和所述第一沟槽内填充保护层,并且所述保护层覆盖所述硬掩模层;采用回刻工艺去除所述硬掩模层和硬掩模层上的保护层,所述回刻工艺停止在所述刻蚀停止层上。
搜索关键词: 沟槽 隔离 结构 形成 方法 以及 图像传感器
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥晶合集成电路股份有限公司,未经合肥晶合集成电路股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210433010.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top