[发明专利]基于动态规划的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池模型参数提取方法在审

专利信息
申请号: 202210429485.0 申请日: 2022-04-22
公开(公告)号: CN114818314A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 单恒升;李诚科;李明慧;刘胜威;梅云俭;宋一凡;马淑芳;许并社 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F119/06;G06F119/08
代理公司: 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61263 代理人: 李振瑞
地址: 710021*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明属于太阳能电池技术领域,公开了一种基于动态规划的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池模型参数提取方法,包括以下步骤:步骤S1,构建InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的模型;步骤S2,构建InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的模型的I‑V特性曲线表达式;步骤S3,构建关于短路电流Isc、峰值电流Im、开路电压Voc和峰值电压Vm的方程组;步骤S4,定义模型中串联电阻Rs和二极管的理想因子n的范围,并将两者进行分组;步骤S5:在步骤S4的基础上,求解模型中Rs、n、Iph、I0和Rsh五个参数的值。本发明能够对不同In组分的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池进行参数提取,且填充因子误差与光电转换效率误差小,曲线拟合优度高,提取参数精度高。
搜索关键词: 基于 动态 规划 ingan gan 多量 太阳能电池 模型 参数 提取 方法
【主权项】:
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