[发明专利]阻变存储器及其操作方法在审
| 申请号： | 202210426413.0 | 申请日： | 2022-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN115697030A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 陈泽志;吕志超;赵亮 | 申请（专利权）人： | 合肥睿科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阻变存储器及其操作方法，其中所述阻变存储器包括：依次堆叠的至少两层导电层以及位于每相邻两层导电层之间的电阻转变层，其中，每层所述导电层与其接触的电阻转变层的交界处形成有具有界面作用力的迁移界面，且所述迁移界面通过所述界面作用力对所述电阻转变层在电信号作用下形成的缺陷进行调控，所述调控包括吸附、迁移和扩散中的至少一种。本发明通过在导电层与其接触的电阻转变层的交界处形成有具有界面作用力的迁移界面，可以调控所述电阻转变层在电信号作用下形成的缺陷的吸附、迁移和扩散，进而改善阻变存储器存在电信号作用下缺陷的可控迁移和电信号撤除后缺陷状态保持的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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