[发明专利]离子植入系统及其方法在审
| 申请号： | 202210419772.3 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN114758940A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 法兰克·辛克莱;丹尼尔·泰格尔;可劳斯·贝克 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/30 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 贺财俊;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种离子植入系统及其方法。离子植入系统可包括：离子源，产生离子束；衬底平台，设置在离子源的下游；减速级，包括使离子束偏转的组件，减速级设置在离子源与衬底平台之间；以及气体来源，气体来源直接耦合到所述减速级以向所述减速级提供氢气或氦气，其中从离子束产生的高能中性物质不散射到衬底平台。本公开的离子植入系统能提供方便且安全地减少由高能中性物质引起的能量污染的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 植入 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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