[发明专利]一种高集成度纳米墙集成电路结构有效
| 申请号： | 202210413345.4 | 申请日： | 2022-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN114899235B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 廖永波;刘金铭;李平;杨智尧;刘仰猛;刘玉婷 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 该发明公开了一种高集成度纳米墙集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。基于与传统IC中MOSFET不同的器件物理原理，该发明提出一种具有高集成度的纳米墙集成电路单元结构(Nano‑Wall FET，简称NWaFET)。NWaFET可以提高IC的集成度、显著缩短沟道长度、提高器件沟道宽长比调整的灵活性，节约芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成度 纳米 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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