[发明专利]一种二硒化钨太阳能电池有效
| 申请号: | 202210411359.2 | 申请日: | 2022-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN114744058B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
| 发明(设计)人: | 王泽高;周湛人;吕俊玲 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/032 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610065 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明属于新能源光伏器件技术领域,涉及一种太阳能电池,特别是一种以二硒化钨为导电层的栅控太阳能电池。该二硒化钨太阳能电池包括基底、二硒化钨、顶栅介质层、顶栅电极、源电极和漏电极,二硒化钨位于顶栅介质层和基底之间,源电极和漏电极位于二硒化钨两端。该二硒化钨光伏电池基底由单晶硅层和二氧化硅层构成,采用有明显厚度差的六方氮化硼作为顶栅介质层,以透明石墨烯作为顶栅电极。本发明所采用的静电掺杂技术较现有静电掺杂技术更简单方便;采用静电掺杂所形成的同质结可以使结型光伏电池引入更少缺陷态,提高电池性能;利用二硒化钨作为导电层,其二维状态下的高柔性使得可穿戴柔性太阳能电池成为可能,有利于改善环境与能源问题。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 二硒化钨 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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