[发明专利]一种二硒化钨太阳能电池

权利要求书

1.一种二硒化钨太阳能电池，包括基底材料（1）、二硒化钨（2）、顶栅介质材料（3）、顶栅电极（4）、源电极（5）和漏电极（6），二硒化钨导电层（2）位于基底材料（1）表面，源电极（5）和漏电极（6）位于二硒化钨（2）两端；其特征在于，太阳能电池还包括顶栅介质材料（3）和顶栅电极（4），顶栅介质材料（3）位于二硒化钨（2）上方并覆盖二硒化钨（2）、源电极（5）和漏电极（6），顶栅电极（4）位于顶栅介质材料上方作为顶部；且所述顶栅介质材料（3）为透明绝缘材料，同一介质材料存在明显厚度差异，厚度差异区域将整个二硒化钨（2）完全覆盖，采用介电常数大于3，厚度范围5-200nm，厚薄区域的厚度相差50-200nm的六方氮化硼。

2.根据权利要求1所述的二硒化钨太阳能电池，其特征在于，所述的基底（1）为具有300nm厚SiO₂层的Si片。

3.根据权利要求1所述的二硒化钨太阳能电池，其特征在于，二硒化钨（2）采用厚度5-50nm的单晶WSe₂。

4.根据权利要求1所述的二硒化钨太阳能电池，其特征在于，顶栅电极（4）为透明导电材料，在竖直方向上将二硒化钨（2）覆盖，顶栅电极（4）和二硒化钨（2）通过顶栅介质材料（3）隔开，采用厚度范围为0.3-10nm的石墨烯。