[发明专利]存储器失效测试方法及装置、存储介质及电子设备在审
| 申请号： | 202210406608.9 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN114743583A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 江汉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08;G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种存储器失效测试方法、存储器失效测试装置、计算机可读存储介质及电子设备，涉及集成电路技术领域。该存储器失效测试方法包括：执行存储器的数据写入动作；数据写入动作包括：在存储器的存储阵列内的存储单元中写入预设存储数据，相邻的两条字线中，在存储阵列的后一条字线所对应的存储单元中写入与前一条字线所对应的存储单元的数据相反的数据；重复数据写入动作，直到写完存储阵列的所有字线所对应的存储单元；读取存储阵列中的数据，并与写入的数据进行比较，获得比较结果；根据比较结果对存储器的失效状态进行判定。本公开提供一种测试LIO漏电引起的DRAM资料读取失效的测试方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 失效 测试 方法 装置 存储 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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