[发明专利]N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210396659.8 申请日: 2022-04-15
公开(公告)号: CN114864657A 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 王文樑;李灏;侯冬曼;李国强;林廷钧 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/778;H01L21/335
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 戴晓琴
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法,该整流器包括整流器外延片和设置在整流器外延片上的欧姆接触电极、Si3N4钝化层以及肖特基接触电极;整流器外延片包括在碳化硅衬底上依次生长的AlN缓冲层、双重SiN插入层结构、非掺杂AlGaN势垒层以及非掺杂GaN沟道层,欧姆接触电极和Si3N4钝化层均设置在非掺杂GaN沟道层上,其中,双重SiN插入层结构包括在AlN缓冲层上依次生长的下层SiN插入层、AlGaN缓冲层和上层SiN插入层。本发明通过采用N极性GaN/AlGaN异质结外延片制备整流器,并且设计双重SiN插入层结构,能够实现具有低开启电压、高截止频率的高性能整流器。
搜索关键词: 极性 gan algan 整流器 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210396659.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top