[发明专利]一种垂直外延结构LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210392086.1 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114784158A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 223865 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种垂直外延结构LED芯片及其制备方法，包括：依次叠层排布的衬底、插入层、导电层、低掺导电层和LED结构层，所述插入层为六方氮化硼层；所述导电层包括多个氮化镓铝/氮化镓异质结层。六方氮化硼层状结构相互间作用力小，剥离对上层外延结构损伤小。利用六方氮化硼层状结构特性，激光剥离技术不会对六方氮化硼层上的结构有破坏，从而提升LED芯片的良率。氮化镓铝/氮化镓异质结的结构因材质不同，可以起到类似芯片DBR作用。而且，通过氮化镓铝/氮化镓异质结层掺硅的浓度逐渐降低设计，能很好的和电极匹配，有着很好的导电和欧姆接触效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 外延 结构 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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