[发明专利]高电子迁移率晶体管器件在审
| 申请号： | 202210374281.1 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116936628A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈纪孝;郑子铭;陈威任;李凯霖 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种高电子迁移率晶体管(HEMT)器件及其制造方法。HEMT器件包括衬底、沟道层、阻挡层、栅极、源极、漏极与源极场板。沟道层位于衬底上。阻挡层位于沟道层上。栅极位于阻挡层上，且具有彼此相对的第一侧与第二侧。源极位于栅极的第一侧。漏极位于栅极的第二侧。源极场板连接于源极。源极场板包括第一场板部、第二场板部与第三场板部。第一场板部连接于源极，且位于栅极的第一侧。第二场板部位于栅极的第二侧。第三场板部连接于第一场板部的末端以及第二场板部的末端。源极场板具有位于栅极的正上方的第一开口。第一开口位于第一场板部与第二场板部之间。第三场板部的俯视图案与栅极的俯视图案部分重叠。HEMT器件可降低功率损耗并提升器件速度。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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