[发明专利]一种新型温湿度MEMS传感器及其制备方法

摘要

本发明属于传感器技术领域，涉及温湿度传感器，具体提供一种新型温湿度MEMS传感器及其制备方法；器件包括：SOI衬底及其上的ALN保护层、金属Mo薄膜层、SiO2温度补偿层及导电金属层，金属Mo薄膜层包括加热电阻与测温电阻；湿度传感时，加热电阻作为内置加热层能够在降湿过程中加快脱湿，减小器件的湿滞，增大器件的灵敏度；温度传感时，内置测温电阻缩短了传热路径，响应时间会更短，会更加灵敏；另外，金属Mo与CMOS工艺兼容，与其他传感器的制作工艺能较好地兼容，且制备工艺简单、制备成本低；综上，本发明具有更好的稳定性和兼容性，增强了测试精度和灵敏性，减小了器件尺寸，提高了集成度，适用环境范围更加广泛。