[发明专利]一种SiC基纳米尺度金属-氧化物-半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 202210359265.5 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN114709266A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 谢海情;崔凯月;蔡稀雅;陈振华;谢进 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC基纳米尺度金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管，其结构包括源、漏电极，栅极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏电极采用p型掺杂二维SiC材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和底栅；顶栅和底栅与中间沟道散射区域之间均包含一个氧化层；中间沟道散射区域采用二维SiC材料。本发明采用宽禁带二维SiC材料作为衬底，p型掺杂二维SiC作为源、漏电极，可以有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷；双栅结构增强栅极对沟道的控制能力，加强栅极对沟道区域电子的控制。当沟道长度小于等于5.1nm时，晶体管关态电流小于0.1μA/μm，能实现正常关断；开态电流大于900μA/μm，满足国际半导体技术路线图（ITRS）的高性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 纳米 尺度 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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