[发明专利]一种碳化硅晶片电化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 202210358547.3 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN114654380A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 吴润泽;王磊;金洙吉;张广宇;刘泽元;申烔源 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;B24B37/34;C25D11/32;H01L21/3063;H01L21/304 |
| 代理公司： | 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102 | 代理人： | 隋秀文 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
一种碳化硅晶片电化学机械抛光方法，属于抛光加工技术领域。首先，将碳化硅晶片通过导电胶粘接至与电源正极连接的铜抛光头，将带通孔的聚氨酯抛光垫用树脂螺钉固定至与电源负极连接的石墨盘。抛光电源为直流稳压电源。在电机驱动下抛光垫与晶片产生相对运动，抛光时抛光垫和晶片浸入电解液，电解液液面高于抛光垫面，抛光液通过蠕动泵滴加至抛光垫表面。本发明利用碳化硅晶体在NaNO |
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| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 电化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
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