[发明专利]范德华间隙场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210358434.3 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN114759086A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 罗鹏飞;段鑫沛;刘兴强;廖蕾;林均;洪若豪 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 李伟波 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种范德华间隙场效应晶体管，所述晶体管具有过饱和氧增大物理吸附界面，包括衬底，在所述衬底上形成半导体沟道层，栅极介电层位于所述半导体沟道层上方并与之交叠，所述栅极介电层通过将二硫化铪氧化成二氧化铪制成。本发明利用臭氧处理机的富氧环境对二维材料进行可控充分氧化，实现了过饱和氧增大物理吸附界面的范德华间隙场效应晶体管，制备简单，性能卓越，可控性强。 | ||
| 搜索关键词： | 范德华 间隙 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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