[发明专利]范德华间隙场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210358434.3 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN114759086A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 罗鹏飞;段鑫沛;刘兴强;廖蕾;林均;洪若豪 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 李伟波 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 范德华 间隙 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种范德华间隙场效应晶体管，所述晶体管具有过饱和氧增大物理吸附界面，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上形成半导体沟道层，栅极介电层位于所述半导体沟道层上方并与之交叠，所述栅极介电层通过将二硫化铪氧化成二氧化铪制成。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体沟道层与栅极介电层之间由范德华力作用形成物理堆叠。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，在所述半导体沟道层的两端和栅极介电层上形成金属电极。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体沟道层与栅极介电层十字交叉。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，在臭氧处理机中对二硫化铪实现富氧环境全覆盖，二硫化铪被氧化成二氧化铪，同时过饱和的氧原子增大半导体沟道层与栅极介电层间的范德华间隙。
6.一种范德华间隙场效应晶体管制备方法，所述晶体管具有过饱和氧增大物理吸附界面，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在第一衬底上形成半导体沟道层，获得第一样品；
S2：在第二衬底上形成易氧化二硫化铪薄膜，获得第二样品；
S3：将第二样品上的二硫化铪薄膜物理转移至所述第一样品的半导体沟道层上，获得第三样品；
S4：将所述第三样品放入臭氧处理机形成的富氧环境中进行功能化全覆盖，将所述二硫化铪薄氧化成二氧化铪，从而形成栅极介电层；
S5：通过覆胶、曝光在所述半导体沟道层沟道的两端以及所述栅极介电层上形成裸露的电极区域；
S6：在所述电极区域上形成金属电极。
7.根据权利要求6所述的晶体管制备方法，其特征在于，所述半导体沟道层与栅极介电层之间由范德华力作用形成物理堆叠。
8.根据权利要求6所述的晶体管制备方法，其特征在于，在所述半导体沟道层的两端和栅极介电层上形成金属电极。
9.根据权利要求6所述的晶体管制备方法，其特征在于，所述半导体沟道层与栅极介电层十字交叉。
10.根据权利要求6所述的晶体管制备方法，其特征在于，在臭氧处理机中对二硫化铪实现富氧环境全覆盖，二硫化铪被氧化成二氧化铪，同时过饱和的氧原子增大半导体沟道层与栅极介电层间的范德华间隙。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南大学，未经湖南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210358434.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
