[发明专利]包括氢扩散阻挡件的晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 202210353312.5 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN115036363A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 戴铭昆;邱维刚;张以澄;吴正一;蔡瀚霆;林灿;林仲德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及包括氢扩散阻挡件的晶体管及其形成方法。一种薄膜晶体管包括：栅极电极，嵌入在衬底上面的绝缘层中；栅极电介质，在栅极电极上面；有源层，包括化合物半导体材料并且在栅极电介质上面；以及源极电极和漏极电极，与有源层的端部部分接触。栅极电介质可以在与绝缘层的界面之上具有较厚的部分，以抑制氢扩散通过。附加地或替代地，可以在有源层和有源层上面的电介质层之间插入包括电介质金属氧化物材料的钝化帽盖电介质，以抑制氢扩散通过。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 扩散 阻挡 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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