[发明专利]基于石墨烯插入层降低暗电流的高性能Au/Gr/Ge光电探测器及构筑方法在审

专利信息
申请号: 202210352014.4 申请日: 2022-04-02
公开(公告)号: CN116936649A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 刘驰;蒋海燕;李波;孙东明;成会明 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及光电探测器的研发与应用领域,具体为一种基于石墨烯插入层降低暗电流的高性能Au/Gr/Ge光电探测器及构筑方法。该光电探测器包括顶部金属电极、晶圆级石墨烯插入层、Ge衬底,Ge衬底的顶部依次设置晶圆级石墨烯插入层和顶部金属电极,与晶圆级石墨烯插入层接触的顶部金属电极为金/钛/金的叠层复合结构。在本发明中,通过在Ge和金属电极之间插入石墨烯层,成功减弱了费米能级钉扎效应,使得肖特基结势垒高度得到明显提高,从而暗电流下降至1.6mA/cm2,光电探测器的响应度达到1.82A/W,这种高性能的光电探测器非常有望应用于光通信等领域,发挥其独特的优势。
搜索关键词: 基于 石墨 插入 降低 电流 性能 au gr ge 光电 探测器 构筑 方法
【主权项】:
暂无信息
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