[发明专利]基于石墨烯插入层降低暗电流的高性能Au/Gr/Ge光电探测器及构筑方法在审
申请号: | 202210352014.4 | 申请日: | 2022-04-02 |
公开(公告)号: | CN116936649A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 刘驰;蒋海燕;李波;孙东明;成会明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: |
本发明涉及光电探测器的研发与应用领域,具体为一种基于石墨烯插入层降低暗电流的高性能Au/Gr/Ge光电探测器及构筑方法。该光电探测器包括顶部金属电极、晶圆级石墨烯插入层、Ge衬底,Ge衬底的顶部依次设置晶圆级石墨烯插入层和顶部金属电极,与晶圆级石墨烯插入层接触的顶部金属电极为金/钛/金的叠层复合结构。在本发明中,通过在Ge和金属电极之间插入石墨烯层,成功减弱了费米能级钉扎效应,使得肖特基结势垒高度得到明显提高,从而暗电流下降至1.6mA/cm |
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搜索关键词: | 基于 石墨 插入 降低 电流 性能 au gr ge 光电 探测器 构筑 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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