[发明专利]一种用于CMP抛光液的亚微米级小原晶ɑ氧化铝制备方法

摘要

本发明公开了一种用于CMP抛光液的亚微米级小原晶ɑ氧化铝制备方法，采用两段分解法，直接分解出平均粒度D50＝0.5μm‑1.2μm，纯度＞99.6％的氢氧化铝，氢氧化铝的粒度小、纯度高，减少了后续研磨和除杂的难度；向配制好的氢氧化铝料浆加入复合活化剂，砂磨机研磨至平均粒度D50＝0.3μm‑1.0μm进行活化处理，再将活化后的氢氧化铝料浆喷雾造粒为平均粒度D50＝35μm‑55μm的假团聚大颗粒，能够使氢氧化铝造粒粉和活化剂在煅烧过程中能够充分反应，减少硬团聚的发生，从而减少后续煅烧后ɑ氧化铝粉气流粉碎的难度。通过调整煅烧工艺，将喷雾造粒后的氢氧化铝粉送入推板窑在1100℃‑1300℃温度下进行煅烧，使得煅烧后的氧化铝纯度＞99.9％，ɑ转化率＞95％，原晶粒度为0.2μm‑0.4μm，能够有效抑制氧化铝原晶长大。