[发明专利]一种用于CMP抛光液的亚微米级小原晶ɑ氧化铝制备方法

权利要求书

1.一种用于CMP抛光液的亚微米级小原晶ɑ氧化铝制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将硫酸铝和含铝酸钠的溶液混合进行反应，制备出平均粒度D50＝0.5μm-1.2μm的氢氧化铝；

(2)将步骤(1)中分解出的氢氧化铝洗涤至中性，再将洗涤后的氢氧化铝与去离子水配制成固含为15％-25％的氢氧化铝料浆；

(3)向步骤(2)中配制好的氢氧化铝料浆中加入0.1％-0.3％的活化剂，再将上述料浆研磨至平均粒度D50＝0.3μm-1.0μm进行活化处理；

(4)将步骤(3)中经活化处理的氢氧化铝料浆喷雾造粒；

(5)将步骤(4)中喷雾造粒后的氢氧化铝造粒粉在1100℃-1300℃温度下进行高温煅烧，得到ɑ氧化铝粉；

(6)将步骤(5)煅烧后的ɑ氧化铝粉进行气流粉碎。

2.根据权利要求1所述的一种用于CMP抛光液的亚微米级小原晶ɑ氧化铝制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中含铝酸钠的溶液为烧结法精液，制备氢氧化铝的具体方法包括以下步骤：

(a)将硫酸铝和烧结法精液在一定条件下快速强力搅拌，得到高活性的超细种子浆，经老化后备用；

(b)将老化后的种子浆加入到烧结法精液中作为晶种，进行一段分解，控制分解温度为50℃-60℃，种子比为15％-30％，所述种子比为种子浆和烧结法精液中Al₂O₃的质量比；

(c)将一段分解完成后的浆液加入到烧结法精液中作为晶种，进行二段分解，控制分解温度为50℃-60℃，种子比为5％-15％，所述种子比为种子浆和烧结法精液中Al₂O₃的质量比。

3.根据权利要求1所述的一种用于CMP抛光液的亚微米级小原晶ɑ氧化铝制备方法，其特征在于，所述步骤(2)的料浆中还添加有分散剂，所述分散剂的添加量为物料总质量的0.5％-1.0％。

4.根据权利要求1所述的一种用于CMP抛光液的亚微米级小原晶ɑ氧化铝制备方法，其特征在于，所述步骤(3)采用磨砂机对氢氧化铝料浆进行研磨。

5.根据权利要求1所述的一种用于CMP抛光液的亚微米级小原晶ɑ氧化铝制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的活化剂为氯化物和有机酸的复合物。

6.根据权利要求1所述的一种用于CMP抛光液的亚微米级小原晶ɑ氧化铝制备方法，其特征在于，所述步骤(4)喷雾造粒后的氢氧化铝造粒粉的平均粒度D50＝35μm-55μm。

7.根据权利要求1所述的一种用于CMP抛光液的亚微米级小原晶ɑ氧化铝制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中煅烧氢氧化铝造粒粉的设备为推板窑。

8.根据权利要求1所述的一种用于CMP抛光液的亚微米级小原晶ɑ氧化铝制备方法，其特征在于，所述步骤(5)还包括采用研磨法分析高温煅烧后的ɑ氧化铝粉的原晶粒度；所得的煅烧后的ɑ氧化铝粉纯度＞99.9％，ɑ转化率＞95％，原晶粒度为0.2μm-0.4μm。

9.根据权利要求1所述的一种用于CMP抛光液的亚微米级小原晶ɑ氧化铝制备方法，其特征在于，所述步骤(6)气流粉碎后的ɑ氧化铝粉平均粒度D50＝0.6μm-2.0μm。