[发明专利]存储器结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210347753.4 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN116648054A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 吕增富;萧钏林 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器结构包括基板、第一字元线沟槽以及形成该第一字元线沟槽中的第一字元线。基板具有多个主动区与围绕主动区的隔离结构。第一字元线沟槽横跨主动区的第一主动区与隔离结构形成。第一字元线沟槽包括第一狭槽与第一槽体。第一狭槽从基板的顶面凹陷。第一槽体从第一狭槽的底部扩展。在第一挟槽的底部与第一槽体的顶部之间连接有第一侧壁。第一字元线包括共形形成于第一槽体与第一狭槽上的栅极介电质。如此，能够避免因非预期元件重叠问题所产生的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210347753.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：上行接入方法及通信装置
- 下一篇：增强型虚拟信道切换
