[发明专利]一种AgBiS2有效

专利信息
申请号: 202210343092.8 申请日: 2022-04-02
公开(公告)号: CN114774114B 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 朱瑞;纪永强;赵丽宸;龚旗煌 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: C09K11/58 分类号: C09K11/58;B82Y40/00;B82Y20/00;H01L31/032;H01L31/0352
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 代理人: 王岩
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种AgBiS2量子点超晶格的制备方法及其光电探测器。本发明通过调节反应条件获得高质量的AgBiS2量子点,随后通过后处理的工艺方法,赋予AgBiS2量子点“靶向”功能,随后通过自组装策略,将单个AgBiS2量子点自组装成超晶格;能将纳米级的性能转移到更大的尺寸,同时具有优于单个量子点的集体性质;随后将量子点超晶格作为光电探测器的功能层,通过添加界面修饰层,钝化器件的界面缺陷,优化器件的能级结构,最终获得高灵敏度、高信噪比、绿色环保的AgBiS2量子点光电探测器;AgBiS2量子点超晶格光电探测器没有重金属元素,整个器件采用溶液加工的方法,制作成本低,同时具有的高的稳定性以及优异的器件性能,因此具有很好的市场应用前景。
搜索关键词: 一种 agbis base sub
【主权项】:
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