[发明专利]纳米片器件的结构、制造方法及电子设备在审
| 申请号： | 202210339960.5 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114975590A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 曾健忠 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种纳米片器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，通过包括第一纳米片堆叠部以及栅极结构；第一纳米片堆叠部在水平面呈H型，包括平行交替设置的多个牺牲层和多个纳米片层；其中，在纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区以及第三半导体类型区沿横向方向依次排列，且第二半导体类型区位于H型的横线位置的中间；在垂直方向上与第二半导体类型区重叠的牺牲层的区域镂空，且在镂空区域环绕第二半导体类型区设置栅极结构；从而避免了纳米线的复杂制作工艺，简化了器件设计并降低了成本。且第二半导体类型区的宽长比可调，使得纳米片功率器件的栅极宽长比可调，提高了纳米片功率器件设计的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 器件 结构 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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