[发明专利]纳米片器件的结构、制造方法及电子设备

权利要求书

1.一种纳米片器件的结构，其特征在于，包括第一纳米片堆叠部以及栅极结构；

所述第一纳米片堆叠部在水平面呈H型，包括平行交替设置的多个牺牲层和多个纳米片层；其中，在所述纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区以及第三半导体类型区沿横向方向依次排列，且所述第二半导体类型区位于所述H型的横线位置的中间；

在垂直方向上与所述第二半导体类型区重叠的所述牺牲层的区域镂空，且在镂空区域环绕所述第二半导体类型区设置所述栅极结构。

2.如权利要求1所述的纳米片器件的结构，其特征在于，在水平面上，所述栅极结构向上和向下延伸以形成所述栅极结构的延伸部，在所述延伸部和所述H型的两个竖线之间设置支撑部。

3.如权利要求1所述的纳米片器件的结构，其特征在于，所述第一半导体类型区为第一N型区，所述第二半导体类型区为第一P型区，所述第三半导体类型区为第二N型区；或者

所述第一半导体类型区为第二P型区，所述第二半导体类型区为第三N型区，所述第三半导体类型区为第三P型区。

4.如权利要求1所述的纳米片器件的结构，其特征在于，所述第一半导体类型区作为所述纳米片器件的源极，所述栅极结构作为所述纳米片器件的栅极，所述第三半导体类型区作为所述纳米片器件的漏极。

5.一种纳米片器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

步骤A：形成第一纳米片堆叠部；所述第一纳米片堆叠部包括平行交替设置的多个牺牲层和多个纳米片层；其中，在所述纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区以及第三半导体类型区沿横向方向依次排列；

步骤B：通过显像使所述第一纳米片堆叠部呈H型；其中，所述第二半导体类型区位于所述H型的横线位置的中间；

步骤C：在所述H型的两个竖线的内侧形成支撑部；

步骤D：移除在垂直方向上与所述第二半导体类型区重叠的所述牺牲层，以形成镂空区域；

步骤E：在所述镂空区域和所述H型的空隙区域填充导电材料以形成栅极结构。

6.根据权利要求5所述的纳米片器件的制造方法，其特征在于，所述步骤A包括：

步骤A1：在衬底上表面形成牺牲层；

步骤A2：在所述牺牲层上表面形成纳米片层；其中，在所述纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区以及第三半导体类型区沿横向方向依次排列；

重复执行n次步骤A1至步骤A2，以形成第一纳米片堆叠部；所述n为大于1的自然数。

7.根据权利要求6所述的纳米片器件的制造方法，其特征在于，所述第一半导体类型区为第一N型区，所述第二半导体类型区为第一P型区，所述第三半导体类型区为第二N型区；所述步骤A2包括：

在所述牺牲层上表面形成第一单晶硅层；

在第一单晶硅层上表面离子注入以形成沿横向方向依次排列的所述第一N 型区、所述第一P型区以及所述第二N型区；

或者

所述第一半导体类型区为第二P型区，所述第二半导体类型区为第三N型区，所述第三半导体类型区为第三P型区；所述步骤A2包括：

在所述牺牲层上表面形成第二单晶硅层；

在第二单晶硅层上表面离子注入以形成沿横向方向依次排列的所述第二P型区、所述第三N型区以及所述第三P型区。

8.根据权利要求5所述的纳米片器件的制造方法，其特征在于，所述步骤A包括：

步骤A3：在衬底上表面形成牺牲层；

步骤A4：在所述牺牲层上表面形成第三单晶硅层；

重复执行n次步骤A1至步骤A2，以形成第二纳米片堆叠部；所述n为大于1的自然数。

步骤A5：在第二纳米片堆叠部上表面离子注入以形成第一纳米片堆叠部；其中，在第一纳米片堆叠部的各个所述纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区以及第三半导体类型区沿横向方向依次排列。