[发明专利]一种对倒置钙钛矿太阳电池中空穴提取界面的修饰方法及其应用在审
| 申请号： | 202210337589.9 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114975795A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 吴武强;谭颖;钟均星;常雪晴;田甜 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 高冰 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域，具体涉及一种对倒置钙钛矿太阳电池中空穴提取界面的修饰方法及其应用。本发明在倒置结构钙钛矿太阳电池器件的空穴传输层/钙钛矿界面间修饰含膦酸基团的咔唑基衍生物有机小分子层，可以提高空穴传输材料对钙钛矿前驱体溶液的浸润性，有利于在空穴传输层上获得高结晶质量的钙钛矿薄膜；降低空穴提取界面以及钙钛矿薄膜内部的缺陷密度，抑制界面载流子复合；增强空穴传输层的空穴提取与传输的能力；使钙钛矿薄膜平整致密，有利于钙钛矿层上方形成高质均匀的电子传输层，改善钙钛矿层与电子传输层的界面接触，从而有效地解决倒置钙钛矿太阳电池中存在的空穴提取界面能级不匹配、浸润性差和缺陷多等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒置 钙钛矿 太阳电池 空穴 提取 界面 修饰 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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