[发明专利]一种MOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 202210335956.1 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114496760B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 陈冠中;刘哲儒;郑志成 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供一半导体衬底，半导体衬底内形成有相邻设置的源极、电流通道和漏极，半导体衬底上形成有多晶硅栅极，多晶硅栅极位于电流通道上，并在多晶硅栅极两侧的半导体衬底上形成第一光刻胶层；对多晶硅栅极依次进行第一次离子注入和碳族元素注入，再清除第一光刻胶层，并形成MOS晶体管，以通过碳族元素抑制了多晶硅栅极的多晶硅晶粒成长扩张速度，并抑制第一次退火工艺后多晶硅栅极的晶界长度，从而避免了在第二次离子注入工艺时有离子穿越多晶硅栅极并进入多晶硅栅极下方的电流通道中去，进而避免了源极和漏极导通的隧穿效应产生，避免了漏电的问题的出现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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