[发明专利]一种MOS晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10：提供一半导体衬底，所述半导体衬底内形成有相邻设置的源极、电流通道和漏极，所述半导体衬底上形成有多晶硅栅极，所述多晶硅栅极位于所述源极和漏极之间的电流通道上，并在所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上形成第一光刻胶层；

S20：对所述多晶硅栅极依次进行第一次离子注入和碳族元素注入，以实现所述多晶硅栅极初次掺杂，再清除所述第一光刻胶层；

S30：对所述半导体衬底进行第一次退火处理；以及

S40：对所述多晶硅栅极进行第二次离子注入，以实现所述多晶硅栅极掺杂，并形成MOS晶体管。

2.如权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述碳族元素包括碳元素、硅元素和锗元素。

3.如权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述碳族元素注入的能量为5 KeV ~30KeV，剂量为1.0E13 cm^-2~1.0E15 cm^-2，所述碳族元素注入时的入射角度与所述半导体衬底的表面的垂线的夹角为0°~15°。

4.如权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二次离子注入的注入离子类型与所述第一次离子注入的注入离子类型相同。

5.如权利要求4所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二次离子注入的注入离子类型与所述第一次离子注入的注入离子类型均为P型离子或N型离子。

6.如权利要求4所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二次离子注入的注入离子类型与所述第一次离子注入的注入离子类型均为硼族元素或氮族元素。

7.如权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一次离子注入的能量为5 KeV ~30KeV，剂量为1.0E13 cm^-2~1.0E15 cm^-2，所述第一次离子注入时的入射角度与所述半导体衬底的表面的垂线的夹角为0°~15°。

8.如权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，S40包括：

在所述半导体衬底上形成图形化的第二光刻胶层，图形化的所述第二光刻胶层暴露出所述多晶硅栅极；

以图形化的所述第二光刻胶层为掩模，对所述多晶硅栅极进行第二次离子注入；

通过干法刻蚀工艺或者氧气灰化工艺去除所述第二光刻胶层；以及

对所述半导体衬底进行第二次退火处理，以形成MOS晶体管。

9.如权利要求8所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二次离子注入的能量为5 KeV~30KeV，剂量为1.0E13 cm^-2 ~1.0E15 cm^-2，所述第二次离子注入时的入射角度与所述半导体衬底的表面的垂线的夹角为0°~15°。

10.如权利要求8所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一次退火处理的退火温度和第二次退火处理的退火温度均大于600℃。