[发明专利]一种氧化铝/a-IGZO薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210333660.6 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114783881A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 马飞;曾超凡;王琛;路文墨 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/02;H01L29/786;C23C14/08 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氧化铝/a‑IGZO薄膜晶体管及其制备方法，该制备方法通过空心阴极等离子体放电法电离通入PLD腔体中的氧气，形成氧等离子体浓度较高的沉积环境，在a‑IGZO/SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化铝 igzo 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
