[发明专利]曲面阵列的辐射特性校正方法与系统在审
| 申请号： | 202210327283.5 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114740277A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 蒋彦雯;范红旗;曾桂兰 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01R29/10 | 分类号： | G01R29/10 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 李杨 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请涉及曲面阵列的辐射特性校正方法与系统，方法包括：将曲面阵列上最接近阵列中心的两个阵元确定为校正基点；基于校正基点计算投影后曲面阵列上各阵元的阵元投影位置；投影后曲面阵列上的阵元间距与等长均匀平面阵上的阵元间距相同；获取曲面阵列上各阵元的阵元真实位置；通过计算各阵元真实位置与相应阵元投影位置之差，得到曲面阵列上各阵元的投影位置误差；利用各阵元的投影位置误差对曲面阵列的方向图进行相位补偿处理，得到曲面阵列经辐射特性校正后的方向图。通过采用改进投影法，可实现对任意曲率弯曲的均匀曲面阵列进行相位补偿，得到接近于平面阵列性能的阵列方向图，显著提升了对曲面阵列天线的相位补偿效果。 | ||
| 搜索关键词： | 曲面 阵列 辐射 特性 校正 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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