[发明专利]曲面阵列的辐射特性校正方法与系统

权利要求书

1.一种曲面阵列的辐射特性校正方法，其特征在于，包括步骤：

将曲面阵列上最接近阵列中心的两个阵元确定为校正基点；

基于所述校正基点计算投影后所述曲面阵列上各阵元的阵元投影位置；投影后所述曲面阵列上的阵元间距与等长均匀平面阵上的阵元间距相同；

获取所述曲面阵列上各阵元的阵元真实位置；

通过计算各所述阵元真实位置与相应所述阵元投影位置之差，得到所述曲面阵列上各阵元的投影位置误差；

利用各阵元的所述投影位置误差对所述曲面阵列的方向图进行相位补偿处理，得到所述曲面阵列经辐射特性校正后的方向图。

2.根据权利要求1所述的曲面阵列的辐射特性校正方法，其特征在于，获取所述曲面阵列上各阵元的阵元真实位置的步骤，包括：

获取所述曲面阵列的曲率和阵列长度，对所述曲率进行等间距分割处理；

根据分割后的曲率确定所述曲面阵列上各阵元对应的元方位角；

根据所述曲率、所述阵列长度和所述元方位角计算得到各阵元的所述阵元真实位置。

3.根据权利要求2所述的曲面阵列的辐射特性校正方法，其特征在于，所述阵元真实位置通过如下公式计算得到：

x_m＝r*sin(α)

y_m＝r*[1-cos(α)]

其中，x_m表示所述曲面阵列上各阵元在直角坐标系中的x轴坐标，y_m表示所述曲面阵列上各阵元在直角坐标系中的y轴坐标，r表示所述曲面阵列所在圆的半径，α表示所述元方位角，m＝1,2,...,M，M表示所述曲面阵列的阵元数。

其中，r＝L₁/q，L₁表示所述曲面阵列的阵列长度，q表示所述曲面阵列的曲率；

其中，α＝q/M*m-q/2。

4.根据权利要求1至3任一项所述的曲面阵列的辐射特性校正方法，其特征在于，所述曲面阵列经辐射特性校正后的方向图通过如下公式计算得到：

其中，P_improve表示所述曲面阵列经辐射特性校正后的方向图，M表示所述曲面阵列的阵元数，k表示波数，x_m表示所述曲面阵列上各阵元在直角坐标系中的x轴坐标，y_m表示所述曲面阵列上各阵元在直角坐标系中的y轴坐标，θ表示方位角，D表示所述投影位置误差。

5.根据权利要求4所述的曲面阵列的辐射特性校正方法，其特征在于，投影后所述曲面阵列上各阵元的阵元投影位置通过如下公式计算得到：

其中，m表示所述曲面阵列上最接近阵列中心的左侧校正基点，m+1表示所述曲面阵列上最接近阵列中心的左侧校正基点，l表示阵元间距。

6.根据权利要求4所述的曲面阵列的辐射特性校正方法，其特征在于，所述曲面阵列上各阵元的投影位置误差通过如下公式计算得到：

其中，m表示所述曲面阵列上第m个阵元，表示阵元m对应的阵元投影位置在直角坐标系中的x轴坐标。

7.一种曲面阵列的辐射特性校正系统，其特征在于，包括：

基点确定模块，用于将曲面阵列上最接近阵列中心的两个阵元确定为校正基点；

投影位置模块，用于基于所述校正基点计算投影后所述曲面阵列上各阵元的阵元投影位置；投影后所述曲面阵列上的阵元间距与等长均匀平面阵上的阵元间距相同；

阵元位置模块，用于获取所述曲面阵列上各阵元的阵元真实位置；

投影误差模块，用于通过计算各所述阵元真实位置与相应所述阵元投影位置之差，得到所述曲面阵列上各阵元的投影位置误差；

补偿处理模块，用于利用各阵元的所述投影位置误差对所述曲面阵列的方向图进行相位补偿处理，得到所述曲面阵列经辐射特性校正后的方向图。