[发明专利]半导体器件和在半导体器件上形成多层屏蔽结构的方法

摘要

本公开涉及半导体器件和在半导体器件上形成多层屏蔽结构的方法。半导体器件具有衬底和设置在衬底上的电元器件。封装剂设置在衬底和电元器件上。在封装剂上形成多层屏蔽结构。多层屏蔽结构具有铁磁材料的第一层和保护层或导电层的第二层。铁磁材料可以是铁、镍、镍铁合金、铁硅合金、硅钢、镍铁钼合金、镍铁钼铜合金、铁硅铝合金、镍锌、锰锌、其他铁氧体、非晶磁性合金、非晶金属合金或纳米晶合金。第一层可以是单个、均质材料。保护层可以是不锈钢、钽、钼、钛、镍或铬。导电层可以是铜、银、金或铝。多层屏蔽结构保护电元器件免受低频和高频干扰。