[发明专利]半导体器件和在半导体器件上形成多层屏蔽结构的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上设置电元器件；

在所述衬底和所述电元器件上沉积封装剂；以及

在所述封装剂上形成多层屏蔽结构，其中，所述多层屏蔽结构包括铁磁材料的第一层和保护层或导电层的第二层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层选自由不锈钢、钽、钼、钛、镍和铬组成的组。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电层选自由铜、银、金和铝组成的组。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铁磁材料选自由铁、镍、镍铁合金、铁硅合金、硅钢、镍铁钼合金、镍铁钼铜合金、铁硅铝合金、镍锌、锰锌、其他铁氧体、非晶磁性合金、非晶金属合金和纳米晶合金组成的组。

5.一种半导体器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的电元器件；

设置在所述衬底和所述电元器件上的封装剂；以及

形成在所述封装剂上的多层屏蔽结构，其中，所述多层屏蔽结构包括铁磁材料的第一层和保护层或导电层的第二层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述保护层选自由不锈钢、钽、钼、钛、镍和铬组成的组。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述导电层选自由铜、银、金和铝组成的组。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述铁磁材料选自由铁、镍、镍铁合金、铁硅合金、硅钢、镍铁钼合金、镍铁钼铜合金、铁硅铝合金、镍锌、锰锌、其他铁氧体、非晶磁性合金、非晶金属合金和纳米晶合金组成的组。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述铁磁材料包括铁或钴与选自由以下组成的组的材料组合：镍、铜、钼、锰、硅、锌、铬、铝、硼、铌、磷和锆。

10. 一种半导体器件，包括：

电元器件组件；以及

形成在所述电元器件组件上的多层屏蔽结构，其中，所述多层屏蔽结构包括铁磁材料的第一层和保护层或导电层的第二层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述保护层选自由不锈钢、钽、钼、钛、镍和铬组成的组。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述导电层选自由铜、银、金和铝组成的组。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述铁磁材料选自由铁、镍、镍铁合金、铁硅合金、硅钢、镍铁钼合金、镍铁钼铜合金、铁硅铝合金、镍锌、锰锌、其他铁氧体、非晶磁性合金、非晶金属合金和纳米晶合金组成的组。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述铁磁材料包括铁或钴与选自由以下组成的组的材料组合：镍、铜、钼、锰、硅、锌、铬、铝、硼、铌、磷和锆。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一层或所述第二层包括多个层压材料。